Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPB100N04S4H2ATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPB100N04S4H2ATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
4996 Pz Nuovo Originale Disponibile
12801210
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IPB100N04S4H2ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 70µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7180 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
115W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3-2
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IPB100
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
IPB100N04S4-H2
2156-IPB100N04S4H2ATMA1
IPB100N04S4H2ATMA1CT
IPB100N04S4-H2-DG
IPB100N04S4H2ATMA1DKR
SP000711274
IPB100N04S4H2ATMA1TR
INFINFIPB100N04S4H2ATMA1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IPD05N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPP50R299CPHKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
