Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPB083N10N3GATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPB083N10N3GATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
4514 Pz Nuovo Originale Disponibile
12816137
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IPB083N10N3GATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 75µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3980 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IPB083
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
IPB083N10N3 GDKR-DG
IPB083N10N3G
IPB083N10N3 G
IPB083N10N3GATMA1DKR
SP000458812
IPB083N10N3GATMA1TR
IPB083N10N3 GDKR
IPB083N10N3 GCT
IPB083N10N3 G-DG
IPB083N10N3 GCT-DG
IPB083N10N3GATMA1CT
IPB083N10N3 GTR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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