Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPB029N06N3GATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPB029N06N3GATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
29422 Pz Nuovo Originale Disponibile
12804114
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IPB029N06N3GATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 118µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
13000 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
188W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IPB029
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
IPB029N06N3G
IPB029N06N3 GCT
IPB029N06N3 G-DG
IPB029N06N3 GDKR-DG
IPB029N06N3GATMA1CT
IPB029N06N3 GTR-DG
IPB029N06N3GATMA1DKR
IPB029N06N3 GCT-DG
IPB029N06N3GATMA1TR
IPB029N06N3 GDKR
IPB029N06N3 G
SP000453052
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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