IPA80R1K0CEXKSA2
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IPA80R1K0CEXKSA2

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

IPA80R1K0CEXKSA2-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Inventario:

RFQ Online
12799447
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IPA80R1K0CEXKSA2 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
CoolMOS™ CE
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.9V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
785 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
32W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-FP
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
IPA80R1

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IPA80R1K0CE
Scheda Dati HTML
IPA80R1K0CEXKSA2-DG
Schede dati
IPA80R1K0CEXKSA2

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
SP001313392
2156-IPA80R1K0CEXKSA2
INFINFIPA80R1K0CEXKSA2

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
STF10N65K3
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
952
NUMERO DI PEZZO
STF10N65K3-DG
PREZZO UNITARIO
0.66
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
FQPF7N60
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
21
NUMERO DI PEZZO
FQPF7N60-DG
PREZZO UNITARIO
2.17
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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