Numero di Prodotto del Fabbricante:
IMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IMW120R045M1XKSA1-DG
Descrizione:
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventario:
58 Pz Nuovo Originale Disponibile
12800230
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IMW120R045M1XKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
CoolSiC™
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id
5.7V @ 10mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (massimo)
+20V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1900 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
228W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO247-3-41
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IMW120
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
IMW120R045M1XKSA1-DG
SP001346254
448-IMW120R045M1XKSA1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MSC025SMA120B
FABBRICANTE
Microchip Technology
QUANTITÀ DISPONIBILE
30
NUMERO DI PEZZO
MSC025SMA120B-DG
PREZZO UNITARIO
28.12
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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