Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSZ130N03MSGATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSZ130N03MSGATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventario:
16290 Pz Nuovo Originale Disponibile
12800985
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
BSZ130N03MSGATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Ta), 35A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TSDSON-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
BSZ130
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
2156-BSZ130N03MSGATMA1
BSZ130N03MSGINCT
BSZ130N03MSGATMA1TR
BSZ130N03MS G
BSZ130N03MSGATMA1DKR
SP000313122
BSZ130N03MSGINDKR
INFINFBSZ130N03MSGATMA1
BSZ130N03MSG
BSZ130N03MSGINDKR-DG
BSZ130N03MSGATMA1CT
BSZ130N03MSGATMA1-DG
BSZ130N03MSGINTR
BSZ130N03MSGXT
BSZ130N03MSGINCT-DG
BSZ130N03MSGINTR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IPA60R750E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-FP
IPB60R165CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
IPB023N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
