BSV236SPH6327XTSA1
Numero di Prodotto del Fabbricante:

BSV236SPH6327XTSA1

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

BSV236SPH6327XTSA1-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 560mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO

Inventario:

13052 Pz Nuovo Originale Disponibile
12838961
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BSV236SPH6327XTSA1 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.2V @ 8µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
228 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
560mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-SOT363-PO
Pacchetto / Custodia
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Numero di prodotto di base
BSV236

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
BSV236SPH6327XT
BSV236SP H6327
SP000917672
BSV236SP H6327TR-DG
BSV236SP H6327DKR
BSV236SP H6327CT-DG
BSV236SPH6327XTSA1CT
BSV236SP H6327DKR-DG
BSV236SP H6327-DG
BSV236SP H6327CT
BSV236SPH6327
BSV236SPH6327XTSA1DKR
BSV236SPH6327XTSA1TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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