Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSP123E6327T
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSP123E6327T-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 370mA (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventario:
12800654
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BSP123E6327T Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
SIPMOS®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
370mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 370mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1.8V @ 50µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
70 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.79W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-SOT223-4
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
BSP123XTINCT
BSP123XTINTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
BSP89,115
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
11918
NUMERO DI PEZZO
BSP89,115-DG
PREZZO UNITARIO
0.15
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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