Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSC16DN25NS3GATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSC16DN25NS3GATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventario:
6986 Pz Nuovo Originale Disponibile
12799411
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BSC16DN25NS3GATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10.9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 32µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
920 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8-5
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
BSC16DN25
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
BSC16DN25NS3GTR-DG
BSC16DN25NS3GDKR
BSC16DN25NS3GATMA1DKR
BSC16DN25NS3GATMA1TR
BSC16DN25NS3GCT
BSC16DN25NS3GTR
SP000781782
BSC16DN25NS3GATMA1CT
BSC16DN25NS3GCT-DG
BSC16DN25NS3G
BSC16DN25NS3 G
BSC16DN25NS3GDKR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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