BSC110N15NS5ATMA1
Numero di Prodotto del Fabbricante:

BSC110N15NS5ATMA1

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

BSC110N15NS5ATMA1-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

Inventario:

13446 Pz Nuovo Originale Disponibile
12802797
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BSC110N15NS5ATMA1 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.6V @ 91µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2770 pF @ 75 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8-7
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
BSC110

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
BSC110N15NS5ATMA1-DG
SP001181418
BSC110N15NS5ATMA1CT
BSC110N15NS5ATMA1DKR
BSC110N15NS5ATMA1TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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