Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSC110N15NS5ATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSC110N15NS5ATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventario:
13446 Pz Nuovo Originale Disponibile
12802797
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BSC110N15NS5ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.6V @ 91µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2770 pF @ 75 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8-7
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
BSC110
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
BSC110N15NS5ATMA1-DG
SP001181418
BSC110N15NS5ATMA1CT
BSC110N15NS5ATMA1DKR
BSC110N15NS5ATMA1TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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