Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Repubblica Democratica del Congo
Argentina
Turchia
Romania
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacchia
Italia
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Montenegro
Russo
Belgio
Svezia
Serbia
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Moldavia
Germania
Paesi Bassi
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Francia
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Portogallo
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spagna
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSC0909NSATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSC0909NSATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 34 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventario:
12940 Pz Nuovo Originale Disponibile
12831583
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
BSC0909NSATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
34 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Ta), 44A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1110 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 27W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8-5
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
BSC0909
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
BSC0909NS
Scheda Dati HTML
BSC0909NSATMA1-DG
Schede dati
BSC0909NSATMA1
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
BSC0909NSCT
BSC0909NS
BSC0909NSDKR
BSC0909NSATMA1DKR-DGTR-DG
BSC0909NSATMA1DKR
BSC0909NSCT-DG
BSC0909NSDKR-DG
BSC0909NSTR-DG
IFEINFBSC0909NSATMA1
BSC0909NSATMA1TR
SP000832576
BSC0909NSATMA1CT
BSC0909NSTR
BSC0909NSATMA1CT-DGTR-DG
2156-BSC0909NSATMA1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
PMN16XNEX
MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP
AUIRFS8408-7TRR
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
PSMN030-150B,118
MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
AUIRFZ34N
MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB