Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSC060P03NS3EGATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSC060P03NS3EGATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 17.7A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventario:
10343 Pz Nuovo Originale Disponibile
12799628
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BSC060P03NS3EGATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
17.7A (Ta), 100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.1V @ 150µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6020 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8-1
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
BSC060
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
BSC060P03NS3E GDKR-DG
BSC060P03NS3E GCT
BSC060P03NS3EG
BSC060P03NS3E G
BSC060P03NS3EGATMA1TR
BSC060P03NS3E GDKR
2156-BSC060P03NS3EGATMA1
INFINFBSC060P03NS3EGATMA1
SP000472984
BSC060P03NS3E G-DG
BSC060P03NS3EGATMA1CT
BSC060P03NS3E GCT-DG
BSC060P03NS3E GTR-DG
BSC060P03NS3EGATMA1DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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