Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSC060N10NS3GATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSC060N10NS3GATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 14.9A (Ta), 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventario:
12802 Pz Nuovo Originale Disponibile
12799266
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BSC060N10NS3GATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
14.9A (Ta), 90A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 90µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4900 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8-1
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
BSC060
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
BSC060N10NS3 G
BSC060N10NS3 GDKR
BSC060N10NS3GATMA1TR
BSC060N10NS3 G-DG
SP000446584
BSC060N10NS3 GTR
BSC060N10NS3 GTR-DG
BSC060N10NS3GATMA1CT
BSC060N10NS3 GCT-DG
BSC060N10NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC060N10NS3 GDKR-DG
BSC060N10NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC060N10NS3G
BSC060N10NS3GATMA1DKR
BSC060N10NS3 GCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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