Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSC050N04LSGATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSC050N04LSGATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 18A (Ta), 85A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventario:
108337 Pz Nuovo Originale Disponibile
12799808
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
BSC050N04LSGATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Ta), 85A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 27µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3700 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8-5
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
BSC050
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
BSC050N04LS GCT
SP000354806
BSC050N04LSGATMA1CT
BSC050N04LSG
BSC050N04LS GCT-DG
BSC050N04LS G-DG
BSC050N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC050N04LS GTR-DG
BSC050N04LSGATMA1DKR
BSC050N04LS GDKR
BSC050N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC050N04LSGATMA1TR
BSC050N04LS G
BSC050N04LS GDKR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
BTS113ANKSA1
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
IPA65R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO220