Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSC010NE2LSATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSC010NE2LSATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventario:
19280 Pz Nuovo Originale Disponibile
12802025
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BSC010NE2LSATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
39A (Ta), 100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4700 pF @ 12 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8-7
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
BSC010
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
BSC010NE2LSCT-DG
BSC010NE2LS-DG
BSC010NE2LSATMA1TR
BSC010NE2LSDKR
BSC010NE2LS
BSC010NE2LSCT
BSC010NE2LSTR-DG
SP000776124
BSC010NE2LSATMA1CT
BSC010NE2LSATMA1DKR
BSC010NE2LSDKR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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