Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSB008NE2LXXUMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSB008NE2LXXUMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 25 V 46A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventario:
12802287
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
BSB008NE2LXXUMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
46A (Ta), 180A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
343 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
16000 pF @ 12 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacchetto / Custodia
3-WDSON
Numero di prodotto di base
BSB008
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
448-BSB008NE2LXXUMA1CT
448-BSB008NE2LXXUMA1TR
SP000880866
448-BSB008NE2LXXUMA1DKR
BSB008NE2LXXUMA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF6717MTRPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
8674
NUMERO DI PEZZO
IRF6717MTRPBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.21
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IPW60R170CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
BSS119 E7978
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
AUIRFR5305
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
