Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Repubblica Democratica del Congo
Argentina
Turchia
Romania
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacchia
Italia
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Montenegro
Russo
Belgio
Svezia
Serbia
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Moldavia
Germania
Paesi Bassi
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Francia
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Portogallo
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spagna
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
AUIRF3710ZS
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
AUIRF3710ZS-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
RFQ Online
12837898
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
j
G
z
d
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
AUIRF3710ZS Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
AUIRF3710
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
AUIRF3710Z(S)
Scheda Dati HTML
AUIRF3710ZS-DG
Schede dati
AUIRF3710ZS
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
SP001522564
INFIRFAUIRF3710ZS
2156-AUIRF3710ZS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTA60N10T
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
5
NUMERO DI PEZZO
IXTA60N10T-DG
PREZZO UNITARIO
1.10
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
PSMN015-100B,118
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
2021
NUMERO DI PEZZO
PSMN015-100B,118-DG
PREZZO UNITARIO
0.81
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
PSMN016-100BS,118
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
3321
NUMERO DI PEZZO
PSMN016-100BS,118-DG
PREZZO UNITARIO
0.64
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
RSJ550N10TL
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
898
NUMERO DI PEZZO
RSJ550N10TL-DG
PREZZO UNITARIO
1.81
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FDC2512_F095
MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6
FDPF390N15A
MOSFET N-CH 150V 15A TO220F
HUFA76609D3S
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
FQD13N10LTF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK