Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF820
Product Overview
Produttore:
Harris Corporation
Numero di Parte:
IRF820-DG
Descrizione:
2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
3895 Pz Nuovo Originale Disponibile
12941203
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IRF820 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
PowerMESH™ II
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
315 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
80W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IRF8
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
503
Altri nomi
2156-IRF820
HARHARIRF820
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificazione DIGI
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