Numero di Prodotto del Fabbricante:
G60N10T
Product Overview
Produttore:
Goford Semiconductor
Numero di Parte:
G60N10T-DG
Descrizione:
N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
86 Pz Nuovo Originale Disponibile
12999086
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G60N10T Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Goford Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3970 pF @ 50 V
Funzione FET
Standard
Dissipazione di potenza (max)
132W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
3141-G60N10T
4822-G60N10T
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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