Numero di Prodotto del Fabbricante:
G58N06K
Product Overview
Produttore:
Goford Semiconductor
Numero di Parte:
G58N06K-DG
Descrizione:
N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
2385 Pz Nuovo Originale Disponibile
13004172
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G58N06K Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Goford Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2841 pF @ 30 V
Funzione FET
Standard
Dissipazione di potenza (max)
71W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
3141-G58N06KCT
3141-G58N06KTR
4822-G58N06KTR
3141-G58N06KDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificazione DIGI
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