Numero di Prodotto del Fabbricante:
G2K8P15K
Product Overview
Produttore:
Goford Semiconductor
Numero di Parte:
G2K8P15K-DG
Descrizione:
P-150V,-12A,RD(MAX)<310M@-10V,VT
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 150 V 12A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
2440 Pz Nuovo Originale Disponibile
12997614
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G2K8P15K Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Goford Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
953 pF @ 75 V
Funzione FET
Standard
Dissipazione di potenza (max)
59W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
3141-G2K8P15KDKR
3141-G2K8P15KTR
4822-G2K8P15KTR
3141-G2K8P15KCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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