Numero di Prodotto del Fabbricante:
G2012
Product Overview
Produttore:
Goford Semiconductor
Numero di Parte:
G2012-DG
Descrizione:
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<18
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventario:
2994 Pz Nuovo Originale Disponibile
13000377
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G2012 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Goford Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1255 pF @ 10 V
Funzione FET
Standard
Dissipazione di potenza (max)
1.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-DFN (2x2)
Pacchetto / Custodia
6-WDFN Exposed Pad
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
3141-G2012DKR
4822-G2012TR
3141-G2012TR
3141-G2012CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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