Numero di Prodotto del Fabbricante:
G130N06S
Product Overview
Produttore:
Goford Semiconductor
Numero di Parte:
G130N06S-DG
Descrizione:
MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 9A (Tc) 2.6W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventario:
3990 Pz Nuovo Originale Disponibile
13004432
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G130N06S Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Goford Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3068 pF @ 30 V
Funzione FET
Standard
Dissipazione di potenza (max)
2.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOP
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
3141-G130N06STR
4822-G130N06STR
3141-G130N06SCT
3141-G130N06SDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificazione DIGI
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