Numero di Prodotto del Fabbricante:
GPI65060DFC
Product Overview
Produttore:
GaNPower
Numero di Parte:
GPI65060DFC-DG
Descrizione:
GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 60A Surface Mount 8-DFN (8x8)
Inventario:
97 Pz Nuovo Originale Disponibile
13243257
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GPI65060DFC Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
GaNPower
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 6A, 12V
vgs(th) (massimo) @ id
1.2V @ 3.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 6 V
Vgs (massimo)
+7.5V, -12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
420 pF @ 400 V
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-DFN (8x8)
Pacchetto / Custodia
8-DFN
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
4025-GPI65060DFCTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
3A001
HTSUS
8541.49.7500
Certificazione DIGI
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