MB85RS512TPNF-G-AWE2
Numero di Prodotto del Fabbricante:

MB85RS512TPNF-G-AWE2

Product Overview

Produttore:

Fujitsu Semiconductor Memory Solution

Numero di Parte:

MB85RS512TPNF-G-AWE2-DG

Descrizione:

IC FRAM 512KBIT SPI 30MHZ 8SOP
Descrizione Dettagliata:
FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 512Kbit SPI 30 MHz 9 ns 8-SOP

Inventario:

12438645
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MB85RS512TPNF-G-AWE2 Specifiche Tecniche

Categoria
Memoria, Memoria
Produttore
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
DiGi-Electronics programmabile
Not Verified
Tipo di memoria
Non-Volatile
Formato di memoria
FRAM
Tecnologia
FRAM (Ferroelectric RAM)
Dimensione della memoria
512Kbit
Organizzazione della memoria
64K x 8
Interfaccia di memoria
SPI
Frequenza di clock
30 MHz
Scrivi tempo di ciclo - Word, pagina
400µs
Tempo di accesso
9 ns
Tensione - Alimentazione
1.8V ~ 3.6V
Temperatura
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOP
Numero di prodotto di base
MB85RS512

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
85
Altri nomi
865-MB85RS512TPNF-G-AWE2

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0071
Certificazione DIGI
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