HUF75631S3ST
Numero di Prodotto del Fabbricante:

HUF75631S3ST

Product Overview

Produttore:

Fairchild Semiconductor

Numero di Parte:

HUF75631S3ST-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

321 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947464
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HUF75631S3ST Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1220 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
120W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
HUF75631S3ST Datasheet

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
132
Altri nomi
FAIFSCHUF75631S3ST
2156-HUF75631S3ST

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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