Numero di Prodotto del Fabbricante:
HUF75545P3
Product Overview
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Numero di Parte:
HUF75545P3-DG
Descrizione:
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
1000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947662
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
HUF75545P3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
UltraFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3750 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
270W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
210
Altri nomi
FAIFSCHUF75545P3
2156-HUF75545P3
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
STD9NM60N
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
A2N7002HW-HF
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
PSMN3R4-30BL,118
NOW NEXPERIA PSMN3R4-30BL - 100A
