Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQU5N60CTU
Product Overview
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Numero di Parte:
FQU5N60CTU-DG
Descrizione:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
4040 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947147
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FQU5N60CTU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
670 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 49W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
695
Altri nomi
2156-FQU5N60CTU
FAIFSCFQU5N60CTU
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificazione DIGI
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