FDFMA2P859T
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDFMA2P859T

Product Overview

Produttore:

Fairchild Semiconductor

Numero di Parte:

FDFMA2P859T-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin

Inventario:

14392 Pz Nuovo Originale Disponibile
12901666
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FDFMA2P859T Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
435 pF @ 10 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
1.4W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
MicroFET 2x2 Thin
Pacchetto / Custodia
6-UDFN Exposed Pad

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,110
Altri nomi
2156-FDFMA2P859T-FSTR
FAIFSCFDFMA2P859T

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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