Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDFMA2P859T
Product Overview
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Numero di Parte:
FDFMA2P859T-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
Inventario:
14392 Pz Nuovo Originale Disponibile
12901666
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDFMA2P859T Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
435 pF @ 10 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
1.4W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
MicroFET 2x2 Thin
Pacchetto / Custodia
6-UDFN Exposed Pad
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,110
Altri nomi
2156-FDFMA2P859T-FSTR
FAIFSCFDFMA2P859T
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DMN62D0LFB-7
MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
DMP2033UVT-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
DMP2123LQ-13
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
