Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDB029N06
Product Overview
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Numero di Parte:
FDB029N06-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
5208 Pz Nuovo Originale Disponibile
12946970
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FDB029N06 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9815 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
231W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
73
Altri nomi
FAIFSCFDB029N06
2156-FDB029N06
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificazione DIGI
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