FCPF2250N80Z
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FCPF2250N80Z

Product Overview

Produttore:

Fairchild Semiconductor

Numero di Parte:

FCPF2250N80Z-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 21.9W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventario:

360 Pz Nuovo Originale Disponibile
12946729
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FCPF2250N80Z Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
SuperFET® II
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 260µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
585 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
21.9W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
FCPF2250N80Z Datasheet

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
199
Altri nomi
2156-FCPF2250N80Z
FAIFSCFCPF2250N80Z

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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