EPC8004
Numero di Prodotto del Fabbricante:

EPC8004

Product Overview

Produttore:

EPC

Numero di Parte:

EPC8004-DG

Descrizione:

GANFET N-CH 40V 4A DIE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 4A (Ta) Surface Mount Die

Inventario:

8790 Pz Nuovo Originale Disponibile
12815437
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

EPC8004 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
EPC
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
eGaN®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 500mA, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
0.45 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
52 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
Die
Pacchetto / Custodia
Die

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati
Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
917-1072-1
917-1072-2
917-1072-6

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
microchip-technology

DN2540N3-G

MOSFET N-CH 400V 120MA TO92

infineon-technologies

IRFSL59N10D

MOSFET N-CH 100V 59A TO262

infineon-technologies

IRF250P224

MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC

microchip-technology

DN3525N8-G

MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA