Numero di Prodotto del Fabbricante:
EPC2105ENGRT
Product Overview
Produttore:
EPC
Numero di Parte:
EPC2105ENGRT-DG
Descrizione:
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 80V 9.5A Surface Mount Die
Inventario:
12795182
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EPC2105ENGRT Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
EPC
Imballaggio
-
Serie
eGaN®
Stato del prodotto
Discontinued at Digi-Key
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Configurazione
2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 2.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
300pF @ 40V
Potenza - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
Die
Pacchetto dispositivo fornitore
Die
Numero di prodotto di base
EPC210
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
917-EPC2105ENGRDKR
917-EPC2105ENGRTR
917-EPC2105ENGRCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificazione DIGI
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