EPC2052
Numero di Prodotto del Fabbricante:

EPC2052

Product Overview

Produttore:

EPC

Numero di Parte:

EPC2052-DG

Descrizione:

GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 8.2A (Ta) Surface Mount Die

Inventario:

97791 Pz Nuovo Originale Disponibile
12814901
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

EPC2052 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
EPC
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 11A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 3mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
575 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
Die
Pacchetto / Custodia
Die
Numero di prodotto di base
EPC20

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
EPC2052
Scheda Dati HTML
EPC2052-DG
Schede dati
EPC2052

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
917-1202-1
917-1202-2
917-1202-6

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Prodotti correlati
texas-instruments

CSD25301W1015

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA

infineon-technologies

IRF1405Z

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

epc

EPC2014

GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

texas-instruments

CSD16570Q5B

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON