Numero di Prodotto del Fabbricante:
EPC2049ENGRT
Product Overview
Produttore:
EPC
Numero di Parte:
EPC2049ENGRT-DG
Descrizione:
GANFET N-CH 40V 16A DIE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 16A (Ta) Surface Mount Die
Inventario:
12802423
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
EPC2049ENGRT Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
EPC
Imballaggio
-
Serie
eGaN®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 15A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 6mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
805 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
Die
Pacchetto / Custodia
Die
Numero di prodotto di base
EPC20
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
917-EPC2049ENGRDKR
917-EPC2049ENGRCT
917-EPC2049ENGRTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
BSZ076N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
BSS308PEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
BSZ050N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
