FBG04N30BC
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FBG04N30BC

Product Overview

Produttore:

EPC Space, LLC

Numero di Parte:

FBG04N30BC-DG

Descrizione:

GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 30A (Tc) Surface Mount 4-SMD

Inventario:

161 Pz Nuovo Originale Disponibile
12997406
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FBG04N30BC Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
EPC Space
Imballaggio
Bulk
Serie
FSMD-B
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 9mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11.4 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1300 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
4-SMD
Pacchetto / Custodia
4-SMD, No Lead

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
154
Altri nomi
4107-FBG04N30BC

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
goford-semiconductor

25P06

MOSFET P-CH 60V 25A TO-252

vishay-siliconix

SQA600CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

onsemi

FDD6685-G

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

rohm-semi

RF4G100BGTCR

NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M