Numero di Prodotto del Fabbricante:
ZXMN6A11DN8TA
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
ZXMN6A11DN8TA-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
Inventario:
4519 Pz Nuovo Originale Disponibile
12905042
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ZXMN6A11DN8TA Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA (Min)
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
330pF @ 40V
Potenza - Max
1.8W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SO
Numero di prodotto di base
ZXMN6
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
ZXMN6A11DN8DKRINACTIVE
ZXMN6A11DN8DKR-DG
ZXMN6A11DN8CT-NDR
ZXMN6A11DN8TR-NDR
ZXMN6A11DN8TR
ZXMN6A11DN8CT
ZXMN6A11DN8DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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