ZXMN2F30FHTA

Numero di Prodotto del Fabbricante:

ZXMN2F30FHTA

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

ZXMN2F30FHTA-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 20 V 4.1A (Ta) 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventario:

30746 Pz Nuovo Originale Disponibile

12886783

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ZXMN2F30FHTA Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

20 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

4.1A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 2.5A, 4.5V

vgs(th) (massimo) @ id

1.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

4.8 nC @ 4.5 V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

452 pF @ 10 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

960mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numero di prodotto di base

ZXMN2

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

ZXMN2F30FHTA-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Altri nomi

ZXMN2F30FHDKR

ZXMN2F30FHTR

ZXMN2F30FHCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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