ZVN4306AVSTZ

Numero di Prodotto del Fabbricante:

ZVN4306AVSTZ

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

ZVN4306AVSTZ-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 60 V 1.1A (Ta) 850mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Inventario:

RFQ Online

12886412

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ZVN4306AVSTZ Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

60 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

3V @ 1mA

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

350 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

850mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

E-Line (TO-92 compatible)

Pacchetto / Custodia

E-Line-3

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

ZVN4306AVSTZ-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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