ZVN3310ASTOB

Numero di Prodotto del Fabbricante:

ZVN3310ASTOB

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

ZVN3310ASTOB-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Inventario:

RFQ Online

12905021

Richiedi preventivo

Quantità
Minimo 1

(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore

INVIA

ZVN3310ASTOB Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

200mA (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

2.4V @ 1mA

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

40 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

625mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

E-Line (TO-92 compatible)

Pacchetto / Custodia

E-Line-3

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

ZVN3310ASTOB-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

4,000

Altri nomi

Q1030741

ZVN3310ASTOB-NDR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Prodotti correlati

vishay-siliconix

IRFP044PBF

MOSFET N-CH 60V 57A TO247-3

diodes

ZXM61P02FTC

MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3

diodes

VN10LFTC

MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3

diodes

ZVN4206GTA

MOSFET N-CH 60V 1A SOT223