Numero di Prodotto del Fabbricante:
UMG4N-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
UMG4N-7-DG
Descrizione:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353
Inventario:
12906789
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UMG4N-7 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
-
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-353
Numero di prodotto di base
UMG4
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
UMG4NTR
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
2855
NUMERO DI PEZZO
UMG4NTR-DG
PREZZO UNITARIO
0.07
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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