Numero di Prodotto del Fabbricante:
HBDM60V600W-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
HBDM60V600W-7-DG
Descrizione:
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Inventario:
12888560
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HBDM60V600W-7 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500mA, 600mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
65V, 60V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Potenza - Max
200mW
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-363
Numero di prodotto di base
HBDM60V600
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
HBDM60V600WDITR
HBDM60V600W7
HBDM60V600WDIDKR
HBDM60V600WDICT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MMDT2227-TP
FABBRICANTE
Micro Commercial Co
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
MMDT2227-TP-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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