Numero di Prodotto del Fabbricante:
DRDNB26W-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DRDNB26W-7-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363
Inventario:
12888772
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DRDNB26W-7 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased + Diode
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
600 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
220 Ohms
Resistenza - Base emettitore (R2)
4.7 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
47 @ 50mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
200 MHz
Potenza - Max
200 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-363
Numero di prodotto di base
DRDNB26
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DRDNB26W7
DRDNB26WDIDKR
DRDNB26WDITR
DRDNB26WDICT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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