DMTH69M8LFVWQ-7
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMTH69M8LFVWQ-7

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMTH69M8LFVWQ-7-DG

Descrizione:

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventario:

2000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12883605
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DMTH69M8LFVWQ-7 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount, Wettable Flank
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
DMTH69

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
31-DMTH69M8LFVWQ-7TR
31-DMTH69M8LFVWQ-7CT
31-DMTH69M8LFVWQ-7DKR
DMTH69M8LFVWQ-7DI-DG
DMTH69M8LFVWQ-7DI

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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