Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMTH69M8LFVW-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMTH69M8LFVW-7-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventario:
13270157
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
DMTH69M8LFVW-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount, Wettable Flank
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
DMTH69
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
31-DMTH69M8LFVW-7TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMTH69M8LFVW-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DMTH69M8LFVW-13-DG
PREZZO UNITARIO
0.22
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DMT3009UFVW-7
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
SI2369BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
DMT3009UFVW-13
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
