Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMTH10H4M6SPSW-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMTH10H4M6SPSW-13-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 21A (Ta), 115A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventario:
13242567
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
DMTH10H4M6SPSW-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
21A (Ta), 115A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4327 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount, Wettable Flank
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI5060-8 (Type UX)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
31-DMTH10H4M6SPSW-13TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMTH10H4M6SPSWQ-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DMTH10H4M6SPSWQ-13-DG
PREZZO UNITARIO
0.88
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DMTH6004SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMPH4009SSS-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
DMP31D1UQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
