Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMTH10H009LFGQ-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMTH10H009LFGQ-13-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 46A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventario:
13242672
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
DMTH10H009LFGQ-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Ta), 46A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2361 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
31-DMTH10H009LFGQ-13TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMTH10H009LFGQ-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DMTH10H009LFGQ-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.48
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DMNH6042SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMP32D9UFA-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0806
ZXMP10A18KQTC
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
