Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMT8012LFG-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMT8012LFG-13-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventario:
12888794
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DMT8012LFG-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1949 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
DMT8012
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMT8012LFG-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
5045
NUMERO DI PEZZO
DMT8012LFG-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.32
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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