Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMT69M5LFVW-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMT69M5LFVW-7-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 40.6A (Tc) 2.74W (Ta), 20.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventario:
13000422
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DMT69M5LFVW-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1406 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount, Wettable Flank
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
31-DMT69M5LFVW-7TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMT69M5LFVWQ-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DMT69M5LFVWQ-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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