Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMT68M8LPS-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMT68M8LPS-13-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 14.1A (Ta), 69.2A (Tc) 2.4W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventario:
4890 Pz Nuovo Originale Disponibile
12901048
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DMT68M8LPS-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
14.1A (Ta), 69.2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2078 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.4W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI5060-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
DMT68
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
31-DMT68M8LPS-13DKR
31-DMT68M8LPS-13TR
31-DMT68M8LPS-13CT
DMT68M8LPS-13-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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